TSM070NA04LCR RLG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PDFN-56-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

91 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

23.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

113 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

TSM

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Transconductancia directa - Mín .:

41 S

Otoño:

8.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

48 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14.1 ns

Tags

TSM07, TSM0, TSM