STFI4N62K3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-281-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

620 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.7 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.75 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

22 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

25 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

STFI4N62K3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

19 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

29 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.079014 oz

Tags

STFI4N, STFI4, STFI, STF