IXTH20N65X2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

Módulos de semiconductores discretos

RoHS:

Y

Producto:

Módulos MOSFET de potencia

Escribe:

X2-Class

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Tubo

Configuración:

Único

Marca:

IXYS

Polaridad del transistor:

Canal N

Otoño:

20 ns

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Pd - Disipación de energía:

290 W

Tipo de producto:

Módulos de semiconductores discretos

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

185 mOhms

Hora de levantarse:

27 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

Módulos de semiconductores discretos

Nombre comercial:

HiPerFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

47 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

19 ns

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Tags

IXTH20N6, IXTH20N, IXTH20, IXTH2, IXTH, IXT