STB33N60DM6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

D2PAK-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

25 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

128 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.25 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

35 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

190 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

35 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

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