2N5951

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

JFET

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

15 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

13 mA

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

350 mW

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Embalaje:

A granel

Configuración:

Único

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.2 mm

Producto:

RF JFET

Escribe:

JFET

Ancho:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Voltaje de corte de puerta-fuente:

2 V to 5 V

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.007090 oz

Tags

2N5951, 2N595, 2N59, 2N5