NTLUS4C16NTAG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UDFN-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

7.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.37 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

NTLUS4C16N

Tipo de transistor:

MOSFET de canal N único

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

2.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Unidad de peso:

0.000300 oz

Tags

NTLUS4C, NTLUS4, NTLUS, NTLU, NTL