BSB008NE2LXXT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WDSON-2-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

180 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

600 uOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

343 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

89 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.7 mm

Longitud:

6.35 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.05 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

120 S

Otoño:

32.4 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

47.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

75 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.6 ns

Parte # Alias:

BSB008NE2LXXUMA1 SP000880866

Tags

BSB00, BSB0, BSB