ISS55EP06LMXTSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

- 0.16 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

- 0.59 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

0.4 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

ISS06P011

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

0.28 S

Otoño:

1.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

4.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

1 ns

Parte # Alias:

ISS55EP06LM SP004987278

Tags

ISS5, ISS