DMN21D2UFB-7B

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

X1-DFN1006-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

760 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

600 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

930 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

380 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN21

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

9.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19.6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.5 ns

Unidad de peso:

0.000035 oz

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DMN21D, DMN21, DMN2, DMN