TK62N60W5,S1VF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

61.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

36 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

205 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

-

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

400 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

DTMOSIV

Serie:

TK62N60W5

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

190 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

250 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

270 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

TK62N60W5, TK62N60W, TK62N, TK62, TK6