NTD4809NH-1G

NTD4809NH-1G
Mfr. #:
NTD4809NH-1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
NTD4809NH-1G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
EN Semiconductor
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-247-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
30 V
Id - Corriente de drenaje continua:
11.5 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
9 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Pd - Disipación de energía:
2 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Altura:
6.35 mm
Longitud:
6.73 mm
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
2.38 mm
Marca:
EN Semiconductor
Otoño:
5 ns, 3 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
20 ns, 18 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
75
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
14 ns, 22 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
12 ns, 7 ns
Unidad de peso:
0.139332 oz
Tags
NTD4809NH, NTD4809N, NTD4809, NTD480, NTD48, NTD4, NTD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***emi
Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK
***ponent Stockers
9 A 30 V 0.0125 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
***r Electronics
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
***nell
MOSFET, N, 30V, I-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 58A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.1V; Power Dissipation Pd: 52W; Transistor Case Style: TO-251AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Current Id Max: 58A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds Typ: 30V; Voltage Vgs Max: 2.1V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
NTD4809NH-1G
DISTI # NTD4809NH-1G-ND
ON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 9A IPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1275
Container: Tube
Limited Supply - Call
    NTD4809NH-1G
    DISTI # 863-NTD4809NH-1G
    ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
    RoHS: Compliant
    0
      NTD4809NH-1GON SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
      RoHS: Compliant
      3624
      • 1000:$0.1700
      • 500:$0.1800
      • 100:$0.1900
      • 25:$0.2000
      • 1:$0.2100
      NTD4809NH-1G
      DISTI # 1431314
      ON Semiconductor 
      RoHS: Compliant
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      • 250:$0.4570
      • 100:$0.5220
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      Imagen Parte # Descripción
      NTD4805N-1G

      Mfr.#: NTD4805N-1G

      OMO.#: OMO-NTD4805N-1G

      MOSFET NFET 30V 88A 5MOHM
      NTD4804N-1G

      Mfr.#: NTD4804N-1G

      OMO.#: OMO-NTD4804N-1G

      MOSFET NFET 30V 117A 4MOHM
      NTD4804NA-35G

      Mfr.#: NTD4804NA-35G

      OMO.#: OMO-NTD4804NA-35G

      MOSFET NFET 30V 117A 4MOHM
      NTD4806N

      Mfr.#: NTD4806N

      OMO.#: OMO-NTD4806N-1190

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      NTD4806NG

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      OMO.#: OMO-NTD4806NG-1190

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      NTD4806NT1G

      Mfr.#: NTD4806NT1G

      OMO.#: OMO-NTD4806NT1G-1190

      Nuevo y original
      NTD4809

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      OMO.#: OMO-NTD4809-1190

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      NTD4809N

      Mfr.#: NTD4809N

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      NTD4809NHT1G

      Mfr.#: NTD4809NHT1G

      OMO.#: OMO-NTD4809NHT1G-1190

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      NTD4808N-1G

      Mfr.#: NTD4808N-1G

      OMO.#: OMO-NTD4808N-1G-ON-SEMICONDUCTOR

      IGBT Transistors MOSFET NFET 30V 63A 8MOHM
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