BSL303SPEH6327XTSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

25 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

20.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

12.9 S

Otoño:

8.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

23.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Parte # Alias:

BSL303SPE H6327 SP000953144

Unidad de peso:

0.000480 oz

Tags

BSL303, BSL30, BSL3, BSL