NTGD3149CT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

60 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

4.6 nC, 5.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

900 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.94 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

4.7 S, 5.1 S

Otoño:

2.4 ns 29.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.8 nS, 5.3 nS

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16.4 nS, 33.3 nS

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.5 nS, 7 nS

Unidad de peso:

0.000705 oz

Tags

NTGD314, NTGD3, NTGD, NTG