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SI1410EDH-T1

SI1410EDH-T1
Mfr. #:
SI1410EDH-T1
Fabricante:
VISHAY
Descripción:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1416EDH-T1-GE3
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI1410EDH-T1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
Serie
TrenchFET
embalaje
Cortar cinta (CT)
Estado de la pieza
Obsoleto
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2.9A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)
1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
450mV @ 250A (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
Característica FET
-
Disipación de energía (máx.)
1W (Ta)
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor
SC-70-6 (SOT-363)
Paquete / Estuche
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tags
SI1410EDH-T, SI1410E, SI1410, SI141, SI14, SI1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***C
Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 6-Pin SC-70
***ser
N-Channel MOSFETs 20V 3.7A
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:3.7A; On Resistance, Rds(on):0.07ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:6-SC-70 ;RoHS Compliant: No
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI1410EDH-T1-E3
DISTI # SI1410EDH-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI1410EDH-T1-E3
    DISTI # SI1410EDH-T1-E3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SI1410EDH-T1-E3
      DISTI # SI1410EDH-T1-E3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SI1410EDH-T1
        DISTI # 781-SI1410EDH        		Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1416EDH-T1-GE3
        RoHS: Not compliant        		0
          SI1410EDH-T1-E3
          DISTI # 781-SI1410EDH-E3          		Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1416EDH-T1-GE3
          RoHS: Compliant          		0
            SI1410EDHT1GE3Vishay IntertechnologiesSmall Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
            RoHS: Compliant            		3000
              SI1416EDH-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 12V Vgs SC70-6
              RoHS: Compliant              		Americas - 117000
                Imagen Parte # Descripción
                SI1410EDH-T1-E3

                Mfr.#: SI1410EDH-T1-E3

                OMO.#: OMO-SI1410EDH-T1-E3

                		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1416EDH-T1-GE3
                SI1410EDH

                Mfr.#: SI1410EDH

                OMO.#: OMO-SI1410EDH-1190

                		 Nuevo y original
                SI1410EDH-T1

                Mfr.#: SI1410EDH-T1

                OMO.#: OMO-SI1410EDH-T1-1190

                		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1416EDH-T1-GE3
                SI1410EDH-T1 , MAX6759UT

                Mfr.#: SI1410EDH-T1 , MAX6759UT

                OMO.#: OMO-SI1410EDH-T1-MAX6759UT-1190

                		 Nuevo y original
                SI1410EDH-T1 , MAX6759UTZD3

                Mfr.#: SI1410EDH-T1 , MAX6759UTZD3

                OMO.#: OMO-SI1410EDH-T1-MAX6759UTZD3-1190

                		 Nuevo y original
                SI1410EDH-T1-GE3

                Mfr.#: SI1410EDH-T1-GE3

                OMO.#: OMO-SI1410EDH-T1-GE3-1190

                		 Nuevo y original
                SI1410EDHT1

                Mfr.#: SI1410EDHT1

                OMO.#: OMO-SI1410EDHT1-1190

                		 Nuevo y original
                SI1410EDHT1E3

                Mfr.#: SI1410EDHT1E3

                OMO.#: OMO-SI1410EDHT1E3-1190

                		 Nuevo y original
                SI1410EDHT1GE3

                Mfr.#: SI1410EDHT1GE3

                OMO.#: OMO-SI1410EDHT1GE3-1190

                		 Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
                SI1410FDH-T1-E3

                Mfr.#: SI1410FDH-T1-E3

                OMO.#: OMO-SI1410FDH-T1-E3-1190

                		 Nuevo y original
                Disponibilidad
                Valores:
                Available
                En orden:
                1000
                Ingrese la cantidad:
                El precio actual de SI1410EDH-T1 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
                Precio de referencia (USD)
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                Precio unitario
                Ext. Precio
                1
                0,00 US$
                0,00 US$
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                0,00 US$
                0,00 US$
                100
                0,00 US$
                0,00 US$
                500
                0,00 US$
                0,00 US$
                1000
                0,00 US$
                0,00 US$
                Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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