RGS50TSX2DHRC11

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores IGBT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Paquete / Caja:

TO-247N-3

Estilo de montaje:

A través del orificio

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

1200 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.7 V

Voltaje máximo del emisor de puerta:

30 V

Corriente continua del colector a 25 C:

50 A

Pd - Disipación de energía:

395 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Embalaje:

Tubo

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente de fuga puerta-emisor:

500 nA

Tipo de producto:

Transistores IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

IGBT

Tags

RGS50, RGS5, RGS