FS50R17KE3_B17

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Configuración:

Inversor IGBT

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

1.7 kV

Voltaje de saturación colector-emisor:

2 V

Corriente continua del colector a 25 C:

82 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

400 nA

Pd - Disipación de energía:

345 W

Paquete / Caja:

Módulo

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 125 C

Embalaje:

Bandeja

Marca:

Infineon Technologies

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

IGBT

Parte # Alias:

FS50R17KE3B17BOSA1 SP000091942

Unidad de peso:

6.349313 oz

Tags

FS50R17, FS50R1, FS50R, FS50, FS5