TPW2R508NH,L1Q

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DSOP-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

75 V

Id - Corriente de drenaje continua:

170 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

72 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

142 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

TPW2R508NH

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Otoño:

15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

56 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

30 ns

Tags

TPW2R, TPW2, TPW