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SI4632DY-T1-E3

SI4632DY-T1-E3
Mfr. #:
SI4632DY-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI4632DY-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
SI4632DY-T1-E3 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI4632DY-E3
Unidad de peso
0.006596 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SOIC-Narrow-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
3.5 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
14 ns 8 ns
Hora de levantarse
115 ns 69 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
16 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
27 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
25 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
2.7 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
55 ns 58 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
145 ns 20 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI4632, SI463, SI46, SI4
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Packaging Boxes
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI4632DY-T1-E3
DISTI # SI4632DY-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 2500:$1.2771
SI4632DY-T1-E3
DISTI # 781-SI4632DY-T1-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 2500:$1.1700
  • 5000:$1.1200
Imagen Parte # Descripción
SI4632DY-T1-E3

Mfr.#: SI4632DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4632DY-T1-E3

 MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V
SI4632DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4632DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4632DY-T1-GE3

 MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V
SI4632DY-T1-E3

Mfr.#: SI4632DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4632DY-T1-E3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V
SI4632DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4632DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4632DY-T1-GE3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
3000
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El precio actual de SI4632DY-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
1,68 US$
1,68 US$
10
1,60 US$
15,96 US$
100
1,51 US$
151,20 US$
500
1,43 US$
714,00 US$
1000
1,34 US$
1 344,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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