FDC6301N

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SSOT-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

220 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.8 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V, - 500 mV

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

900 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FDC6301N

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

FET

Ancho:

1.6 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

0.25 S

Otoño:

4.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Parte # Alias:

FDC6301N_NL

Unidad de peso:

0.001058 oz

Tags

FDC6301N, FDC6301, FDC630, FDC63, FDC6, FDC