IPB049NE7N3 G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

75 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.4 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

68 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

150 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

52 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Parte # Alias:

IPB049NE7N3GATMA1 IPB49NE7N3GXT SP000641752

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IPB049NE7N3G, IPB049NE, IPB049, IPB04, IPB0, IPB