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SI8461DB-T2-E1

SI8461DB-T2-E1
Mfr. #:
SI8461DB-T2-E1
Fabricante:
Vishay
Descripción:
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI8461DB-T2-E1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI8461DB-T2-E1 DatasheetSI8461DB-T2-E1 Datasheet (P4-P6)SI8461DB-T2-E1 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET - Single
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
4-XFBGA, CSPBGA
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
4-Microfoot
Configuración
Único
Tipo FET
Canal P MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
780mW
Tipo transistor
1 P-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
20V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
610pF @ 10V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
-
Rds-On-Max-Id-Vgs
100 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
24nC @ 8V
Disipación de potencia Pd
1.8 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 85 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 40 C
Otoño
10 ns
Hora de levantarse
25 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
8 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
- 3.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
136 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico
35 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
15 ns
Qg-Gate-Charge
9.5 nC
Transconductancia directa-Mín.
7 S
Tags
SI8461D, SI8461, SI846, SI84, SI8
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI8461DB-T2-E1
DISTI # V72:2272_09216563		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
RoHS: Compliant		788
  • 75000:$0.2259
  • 30000:$0.2265
  • 15000:$0.2290
  • 6000:$0.2329
  • 3000:$0.2344
  • 1000:$0.2451
  • 500:$0.2655
  • 250:$0.3049
  • 100:$0.3317
  • 50:$0.3570
  • 25:$0.4267
  • 10:$0.4364
  • 1:$0.5067
SI8461DB-T2-E1
DISTI # SI8461DB-T2-E1TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V MICROFOOT
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		3000In Stock
  • 3000:$0.2392
SI8461DB-T2-E1
DISTI # SI8461DB-T2-E1CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V MICROFOOT
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Limited Supply - Call
    SI8461DB-T2-E1
    DISTI # SI8461DB-T2-E1DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V MICROFOOT
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI8461DB-T2-E1
      DISTI # 25790142      		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
      RoHS: Compliant      		788
      • 500:$0.2655
      • 250:$0.3049
      • 100:$0.3317
      • 50:$0.3570
      • 34:$0.4267
      SI8461DB-T2-E1
      DISTI # 35R6249      		Vishay IntertechnologiesP CHANNEL MOSFET, -20V, 3.7A,Transistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-3.7A,Drain Source Voltage Vds:-20V,On Resistance Rds(on):100mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V,Threshold Voltage Vgs:-1V,Product Range:- , RoHS Compliant: Yes0
        SI8461DB-T2-E1
        DISTI # 35R0088        		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P-CH, -20V, -3.7A, MICRO FOOT-4,Transistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-3.7A,Drain Source Voltage Vds:-20V,On Resistance Rds(on):0.083ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V,Threshold Voltage Vgs:-1V , RoHS Compliant: Yes0
          SI8461DB-T2-E1.
          DISTI # 15AC0305          		Vishay IntertechnologiesTransistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-3.7A,Drain Source Voltage Vds:-20V,On Resistance Rds(on):100mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V,Threshold Voltage Vgs:-1V,Power Dissipation Pd:780mW,No. of Pins:4Pins , RoHS Compliant: No0
            SI8461DB-T2-E1
            DISTI # 70617007            		Vishay SiliconixSI8461DB-T2-E1 P-channel MOSFET Transistor,3 A,20 V,4-Pin MICRO FOOT
            RoHS: Compliant            		0
            • 300:$0.4500
            • 600:$0.4000
            • 1500:$0.3500
            • 3000:$0.3200
            SI8461DB-T2-E1
            DISTI # 781-SI8461DB-E1            		Vishay IntertechnologiesMOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
            RoHS: Compliant            		1314
            • 1:$0.6000
            • 10:$0.4790
            • 100:$0.3640
            • 500:$0.3000
            • 1000:$0.2510
            • 3000:$0.2500
            SI8461DB-T2-E1Vishay Siliconix2500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET3033
            • 1100:$0.1625
            • 232:$0.1820
            • 1:$0.5200
            SI8461DB-T2-E1Vishay Intertechnologies2500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET2400
            • 2223:$0.3150
            • 445:$0.3600
            • 1:$0.9000
            SI8461DBT2E1Vishay Intertechnologies 
            RoHS: Compliant            		Europe - 3000
              SI8461DB-T2-E1Vishay IntertechnologiesINSTOCK1140
                SI8461DB-T2-E1
                DISTI # C1S803601645333                		Vishay IntertechnologiesMOSFETs
                RoHS: Compliant                		788
                • 100:$0.3340
                • 50:$0.3610
                • 25:$0.4286
                • 10:$0.4384
                SI8461DB-T2-E1
                DISTI # 1781671                		Vishay IntertechnologiesP CHANNEL MOSFET, -20V, 3.7A
                RoHS: Compliant                		0
                • 20:$0.8620
                • 100:$0.7140
                • 500:$0.5590
                • 1000:$0.4600
                • 2500:$0.3910
                • 5000:$0.3700
                SI8461DB-T2-E1
                DISTI # 1781671                		Vishay IntertechnologiesP CHANNEL MOSFET, -20V, 3.7A
                RoHS: Compliant                		0
                • 3000:£0.2230
                Imagen Parte # Descripción
                SI8461DB-T2-E1.

                Mfr.#: SI8461DB-T2-E1.

                OMO.#: OMO-SI8461DB-T2-E1--1190

                		 Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-3.7A, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):100mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-1V, Power D
                SI8461DB

                Mfr.#: SI8461DB

                OMO.#: OMO-SI8461DB-1190

                		 Nuevo y original
                SI8461DB-T2-E1

                Mfr.#: SI8461DB-T2-E1

                OMO.#: OMO-SI8461DB-T2-E1-VISHAY

                		 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
                Disponibilidad
                Valores:
                Available
                En orden:
                1500
                Ingrese la cantidad:
                El precio actual de SI8461DB-T2-E1 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
                Precio de referencia (USD)
                Cantidad
                Precio unitario
                Ext. Precio
                1
                0,24 US$
                0,24 US$
                10
                0,23 US$
                2,32 US$
                100
                0,22 US$
                21,94 US$
                500
                0,21 US$
                103,60 US$
                1000
                0,20 US$
                195,00 US$
                Empezar con
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