BSZ018N04LS6ATMA1

BSZ018N04LS6ATMA1
Mfr. #:
BSZ018N04LS6ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 40V Mosfet 1,8mOhm, S3O8MOSFET, Power MOSFET
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
BSZ018N04LS6ATMA1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
BSZ018N04LS6ATMA1 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
PQFN-8
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
40 V
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
1.8 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
10 V
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
OptiMOS
Embalaje:
Carrete
Serie:
BSZ0xx
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Marca:
Infineon Technologies
Tipo de producto:
MOSFET
Cantidad de paquete de fábrica:
5000
Subcategoría:
MOSFET
Tags
BSZ018, BSZ01, BSZ0, BSZ
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OptiMOS™ 6 Power MOSFETs
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Power MOSFETs offer next generation, cutting-edge innovation, and best-in-class performance. The OptiMOS 6 family utilizes thin wafer technology that enables significant performance benefits. Compared to alternative products, the OptiMOS 6 Power MOSFETs have a reduced RDS(ON) of 30% and are optimized for synchronous rectification.
Imagen Parte # Descripción
BSZ018N04LS6ATMA1

Mfr.#: BSZ018N04LS6ATMA1

OMO.#: OMO-BSZ018N04LS6ATMA1

MOSFET 40V Mosfet 1,8mOhm, S3O8MOSFET, Power MOSFET
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
5500
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1,73 US$
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100
1,17 US$
117,00 US$
500
1,03 US$
515,00 US$
1000
0,86 US$
855,00 US$
2500
0,80 US$
1 990,00 US$
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