BSC042NE7NS3 G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

75 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

69 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

OptiMOS 3 Power-Transistor

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

44 S

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

17 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

34 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Parte # Alias:

BSC042NE7NS3GATMA1 BSC42NE7NS3GXT SP000657440

Unidad de peso:

0.003527 oz

Tags

BSC042NE7NS3G, BSC042NE, BSC042, BSC04, BSC0, BSC