NX3008NBKW,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

350 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

0.52 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

310 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Producto:

MOSFET de trinchera

Tipo de transistor:

1 N-Channel Trench MOSFET

Marca:

Nexperia

Otoño:

19 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

69 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Unidad de peso:

0.000176 oz

Tags

NX3008NBKW, NX3008NB, NX3008N, NX3008, NX300, NX30, NX3