SSM3J168F,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-346-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

400 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.3 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V, - 20 V

Qg - Carga de puerta:

3 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1200 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

SSM3J168F

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Toshiba

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

31.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.3 ns

Unidad de peso:

0.004233 oz

Tags

SSM3J16, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM