FDG6332C-F085

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-70-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

700 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

300 mOhms, 420 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

1.1 nC, 1.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FDG6332C_F085

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

2.8 S, 1.8 S

Otoño:

1.5 ns, 1.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7 nS, 14 nS

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9 nS, 6 nS

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 nS, 5.5 nS

Parte # Alias:

FDG6332C_F085

Unidad de peso:

0.000988 oz

Tags

FDG6332C-F, FDG6332, FDG633, FDG63, FDG6, FDG