DMN61D8LVTQ-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOT-26-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

630 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.1 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

740 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.09 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

DMN61

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

80 mS

Otoño:

440 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

301 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

582 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

131 ns

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