STP17N62K3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

620 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

380 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

94 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

190 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Tubo

Serie:

STP17N62K3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

SuperMESH3 Power MOSFET

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

1.6 S

Otoño:

63 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

26 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

91 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Unidad de peso:

0.011640 oz

Tags

STP17N, STP17, STP1, STP