IXTT6N120

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-268-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.2 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

56 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

5.1 mm

Longitud:

14 mm

Serie:

IXTT6N120

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia de alto voltaje

Ancho:

16.05 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

3 S

Otoño:

18 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

33 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

28 ns

Unidad de peso:

0.158733 oz

Tags

IXTT6, IXTT, IXT