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SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7758DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 60A 104W 2.9mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7758DP-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7758DP-GE3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SO-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Single with Schottky Diode
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
6.25 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
30 ns
Hora de levantarse
25 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
34.6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
2.9 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
56 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
53 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI77, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7758DP-T1-GE3
DISTI # SI7758DP-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI7758DP-T1-GE3
    DISTI # SI7758DP-T1-GE3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SI7758DP-T1-GE3
      DISTI # SI7758DP-T1-GE3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SI7758DP-T1-GE3
        DISTI # 781-SI7758DP-T1-GE3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 60A 104W 2.9mohm @ 10V
        RoHS: Compliant        		0
          Imagen Parte # Descripción
          SI7758DP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7758DP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7758DP-T1-GE3

          		 MOSFET 30V 60A 104W 2.9mohm @ 10V
          SI7758DP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7758DP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7758DP-T1-GE3-VISHAY

          		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 60A 104W 2.9mohm @ 10V
          Disponibilidad
          Valores:
          Available
          En orden:
          2500
          Ingrese la cantidad:
          El precio actual de SI7758DP-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
          Precio de referencia (USD)
          Cantidad
          Precio unitario
          Ext. Precio
          1
          0,00 US$
          0,00 US$
          10
          0,00 US$
          0,00 US$
          100
          0,00 US$
          0,00 US$
          500
          0,00 US$
          0,00 US$
          1000
          0,00 US$
          0,00 US$
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