STD80N6F7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DPAK-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

40 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

25 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

100 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Serie:

STD80N6F7

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

7.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

17.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

24.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Tags

STD80N6, STD80N, STD80, STD8, STD