DMP210DUFB4-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

X2-DFN1006-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

350 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMP210

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

31.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

19.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.7 ns

Tags

DMP210DUF, DMP210D, DMP210, DMP21, DMP2, DMP