IXTT11P50-TRL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

Módulos de semiconductores discretos

RoHS:

Y

Producto:

Módulos MOSFET de potencia

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-268-3

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Marca:

IXYS

Polaridad del transistor:

P-Channel

Otoño:

34 ns

Id - Corriente de drenaje continua:

- 11 A

Pd - Disipación de energía:

300 W

Tipo de producto:

Módulos de semiconductores discretos

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

750 mOhms

Hora de levantarse:

32 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

400

Subcategoría:

Módulos de semiconductores discretos

Tiempo de retardo de apagado típico:

80 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

26 ns

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 500 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 5 V

Tags

IXTT11P, IXTT11, IXTT1, IXTT, IXT