IXTP36N30P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

300 V

Id - Corriente de drenaje continua:

36 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

110 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

70 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PolarHT

Embalaje:

Tubo

Altura:

16 mm

Longitud:

10.66 mm

Serie:

IXTP36N30

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET PolarHT Power

Ancho:

4.83 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

12 S

Otoño:

28 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

97 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

24 ns

Unidad de peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP36N, IXTP36, IXTP3, IXTP, IXT