IPB80P03P4L-04

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.1 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

5 V

Qg - Carga de puerta:

125 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

137 W

Configuración:

Único

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

OptiMOS-P2

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

40 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

140 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Parte # Alias:

IPB80P03P4L04ATMA1 IPB8P3P4L4XT SP000396284

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IPB80P03P4L, IPB80P03P4, IPB80P03, IPB80P, IPB8, IPB