BSM180C12P2E202

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Módulos de semiconductores discretos

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de semiconductores de potencia

Escribe:

SiC Power Module

Vf - Voltaje directo:

1.6 V at 180 A

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 6 V, 22 V

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

Módulo

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

BSMx

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Helicóptero

Tecnología:

Sic

Marca:

Semiconductor ROHM

Polaridad del transistor:

Canal N

Tiempo de retardo típico:

49 ns

Otoño:

32 ns

Id - Corriente de drenaje continua:

204 A

Pd - Disipación de energía:

1360 W

Tipo de producto:

Módulos de semiconductores discretos

Hora de levantarse:

36 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4

Subcategoría:

Módulos de semiconductores discretos

Tiempo de retardo de apagado típico:

139 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

49 ns

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1200 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.6 V

Tags

BSM180C, BSM180, BSM18, BSM1, BSM