RGT16NS65DGC9

RGT16NS65DGC9
Mfr. #:
RGT16NS65DGC9
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descripción:
IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
RGT16NS65DGC9 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
RGT16NS65DGC9 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Semiconductor ROHM
Categoria de producto:
Transistores IGBT
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Paquete / Caja:
TO-262-3
Estilo de montaje:
A través del orificio
Configuración:
Único
Voltaje colector-emisor VCEO Max:
650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:
1.65 V
Voltaje máximo del emisor de puerta:
30 V
Corriente continua del colector a 25 C:
16 A
Pd - Disipación de energía:
94 W
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Embalaje:
Tubo
Marca:
Semiconductor ROHM
Corriente de fuga puerta-emisor:
200 nA
Tipo de producto:
Transistores IGBT
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
IGBT
Parte # Alias:
RGT16NS65D(TO-262)
Tags
RGT16N, RGT1, RGT
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 650V 16A 94000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
***nell
IGBT, 650V, 16A, 175DEG C, 94W
***ark
Igbt, 650V, 16A, 175Deg C, 94W; Dc Collector Current:16A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.65V; Power Dissipation Pd:94W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:to-262; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes
Field Stop Trench IGBTs
ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy saving high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit withstand time, and built-in very fast & soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioner, welder, and general inverters for industrial use.
Imagen Parte # Descripción
RGT16NL65DGTL

Mfr.#: RGT16NL65DGTL

OMO.#: OMO-RGT16NL65DGTL

IGBT Transistors FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT16NS65DGC9

Mfr.#: RGT16NS65DGC9

OMO.#: OMO-RGT16NS65DGC9

IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGT16NS65DGTL

Mfr.#: RGT16NS65DGTL

OMO.#: OMO-RGT16NS65DGTL

IGBT Transistors 650V 8A IGBT Stop Trench
RGT16NS65DGTL

Mfr.#: RGT16NS65DGTL

OMO.#: OMO-RGT16NS65DGTL-ROHM-SEMI

IGBT Transistors 650V 8A Field Stop Trench IGBT
RGT16NL65DGTL

Mfr.#: RGT16NL65DGTL

OMO.#: OMO-RGT16NL65DGTL-1190

FIELD STOP TRENCH IGBT
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1984
Ingrese la cantidad:
El precio actual de RGT16NS65DGC9 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
2,18 US$
2,18 US$
10
1,86 US$
18,60 US$
100
1,48 US$
148,00 US$
500
1,30 US$
650,00 US$
1000
1,07 US$
1 070,00 US$
2500
1,00 US$
2 500,00 US$
5000
0,97 US$
4 835,00 US$
10000
0,93 US$
9 300,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
Empezar con
Nuevos productos
Top