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IXDN609CI

IXDN609CI
Mfr. #:
IXDN609CI
Fabricante:
IXYS Integrated Circuits
Descripción:
Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXDN609CI Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
IXDN609CI más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS Integrated Circuits Division
categoria de producto
PMIC - Controladores de puerta
Serie
IXDN609
Producto
Controladores de la puerta MOSFET
Escribe
Low-Side
embalaje
Tubo
Unidad de peso
0.105822 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Nombre comercial
Clare
Paquete-Estuche
TO-220-5
Temperatura de funcionamiento
22ns, 15ns
Tipo de montaje
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivo de proveedor
TO-220-5 Formed Leads
Resolución-Bits
1
Interfaz de datos
Único
Suministro de voltaje Analógico
No inversor
Voltaje-Suministro-Digital
-
Configuración
Único
Número de ADC-DAC
Sigma-Delta
4.5 V ~ 35 V
SN-Ratio-ADCs-DACs-db-Typ
0.8V, 3V
Rango dinámico-ADCs-DACs-db-Typ
9A, 9A
Número de salidas
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 125 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 40 C
Corriente de suministro de funcionamiento
10 uA
Corriente de salida
9 A
Otoño
15 ns
Hora de levantarse
22 ns
Suministro-Voltaje-Máx.
35 V
Suministro-Voltaje-Mín.
4.5 V
Número de conductores
1 Driver
Tiempo máximo de retardo de apagado
60 ns
Tiempo máximo de retardo de encendido
60 ns
Tags
IXDN609, IXDN60, IXDN6, IXDN, IXD
Service Guarantees

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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
9-Ampere Low-Side Ultrafast Mosfet Driver 5-Lead To-220 Rohs Compliant: Yes
***i-Key
IC GATE DVR 9A DUAL HS TO220-5
MOSFET & IGBT Gate Drivers
IXYS Integrated Circuits offers a variety of low-side, high-side, high-side & low-side, and optically isolated MOSFET and IGBT Gate Drivers for a number of applications. The low-side gate drivers are ultra-fast, high current MOSFET and IGBT gate drivers that are optimized for high-efficiency performance in motor drive and power conversion applications. The high-side gate drivers use a proprietary common-mode design technique to provide stable operation in high dV/dt noise environments. The high-side & low-side gate drivers are configured with independent high-side and low-side referenced output channels, both of which can source and sink up to 2A. The optically isolated gate drivers couple infrared light emitting diodes with proprietary photovoltaic integrated circuits to provide voltage for turn-on of discrete MOSFETs, and feature a gate-clamping circuit to provide fast turn-off.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXDN609CI
DISTI # IXDN609CI-ND		IXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DVR 9A NON-INV TO220-5
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$1.6100
IXDN609CI
DISTI # 849-IXDN609CI		IXYS CorporationGate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
RoHS: Compliant		1130
  • 1:$3.3900
  • 10:$3.0200
  • 50:$2.7200
  • 100:$2.4800
  • 250:$2.2400
  • 500:$2.0100
  • 1000:$1.7000
  • 2500:$1.6100
  • 5000:$1.5100
Imagen Parte # Descripción
IXDN604SITR

Mfr.#: IXDN604SITR

OMO.#: OMO-IXDN604SITR

 Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDN614SITR

Mfr.#: IXDN614SITR

OMO.#: OMO-IXDN614SITR

 Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IXDN630MYI

Mfr.#: IXDN630MYI

OMO.#: OMO-IXDN630MYI-IXYS-INTEGRATED-CIRCUITS-DIVIS

 Gate Drivers 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A
IXDN35N120DU1

Mfr.#: IXDN35N120DU1

OMO.#: OMO-IXDN35N120DU1-1190

 Nuevo y original
IXDN402S

Mfr.#: IXDN402S

OMO.#: OMO-IXDN402S-1190

 Nuevo y original
IXDN414YI

Mfr.#: IXDN414YI

OMO.#: OMO-IXDN414YI-IXYS-CORPORATION

 IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 5-TO-263
IXDN604

Mfr.#: IXDN604

OMO.#: OMO-IXDN604-1190

 Nuevo y original
IXDN614C1

Mfr.#: IXDN614C1

OMO.#: OMO-IXDN614C1-1190

 Nuevo y original
IXDN614SIA

Mfr.#: IXDN614SIA

OMO.#: OMO-IXDN614SIA-1190

 Nuevo y original
IXDN55N120D1

Mfr.#: IXDN55N120D1

OMO.#: OMO-IXDN55N120D1-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors 55 Amps 1200V
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1000
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El precio actual de IXDN609CI es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
2,26 US$
2,26 US$
10
2,15 US$
21,52 US$
100
2,04 US$
203,85 US$
500
1,93 US$
962,65 US$
1000
1,81 US$
1 812,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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