PMN70EPEX

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

- 4.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

80 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

11.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.4 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

12.6 S

Otoño:

7.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Tags

PMN7, PMN