STD1NK80Z-1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

16 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.75 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

7.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

45 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

6.2 mm

Longitud:

6.6 mm

Serie:

STQ1NK80ZR-AP

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

2.4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

0.8 S

Otoño:

55 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

STD1NK8, STD1NK, STD1N, STD1, STD