D2008UK

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

TT Electronics

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Ganar:

13 dB

Potencia de salida:

5 W

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-39-3

Configuración:

Único

Altura:

4.95 mm

Longitud:

9.4 mm

Frecuencia de operación:

400 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

9.4 mm

Marca:

Electrónica Semelab / TT

Pd - Disipación de energía:

29 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V to 7 V

Tags

D2008, D200, D20