DMHC4035LSDQ-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

4 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.5 A, 3.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

26 mOhms, 49 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V, 3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

12.5 nC, 11.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Patio

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

5.5 ns, 15.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.6 ns, 2.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns, 36.3 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.1 ns, 3.6 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

DMHC, DMH