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SIHB16N50C-E3

SIHB16N50C-E3
Mfr. #:
SIHB16N50C-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-Channel 500V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIHB16N50C-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIHB16N50C-E3 DatasheetSIHB16N50C-E3 Datasheet (P4-P6)SIHB16N50C-E3 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Más información:
SIHB16N50C-E3 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Vishay
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
TO-263-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
560 V
Id - Corriente de drenaje continua:
16 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
380 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
5 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
30 V
Qg - Carga de puerta:
45 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
38 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Carrete
Marca:
Vishay / Siliconix
Otoño:
31 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
156 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
1000
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
29 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
27 ns
Unidad de peso:
0.050717 oz
Tags
SIHB1, SIHB, SIH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-263
***ure Electronics
MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
*** Electronics
MOSFET N-Channel 500V
*** Europe
N-CH SINGLE 500V TO263
SiHx16N50C 500-V N-Channel Power MOSFETs
Vishay Siliconix SiHx16N50C 500-V, 16-A N-channel power MOSFETS feature ultra-low 0.38-Ω maximum on-resistance at a 10-V gate drive and an improved gate charge of 68nC. The low on-resistance of the Vishay Siliconix SiHP16N50C (TO-220AB package), SiHF16N50C (TO-220 FULLPAK), SiHB16N50C (D²PAK), and SiHG16N50C (TO-247AC) MOSFETs translates into lower conduction losses that save energy in power factor correction (PFC) boost circuits, PWM half bridges, and LLC topologies in a wide range of applications, including notebook computer AC adapters, PC power supplies, LCD TVs, and open-frame power supplies. Gate charges times on-resistance is a low 25.84 Ω-nC. Vishay Siliconix SiHx16N50C N-channel power MOSFETs are produced using Vishay Planar Cell technology that has been tailored to minimize on-state resistance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation modes. The SiHP16N50C, SiHF16N50C, SiHB16N50C, and SiHG16N50C also offer faster switching speeds and reduced switching losses than previous-generation MOSFETs.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIHB16N50C-E3
DISTI # SIHB16N50C-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		1000In Stock
  • 2000:$3.2480
  • 1000:$3.4104
SIHB16N50C-E3
DISTI # SIHB16N50C-E3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		1000In Stock
  • 500:$4.1651
  • 100:$4.8927
  • 10:$5.9720
  • 1:$6.6500
SIHB16N50C-E3
DISTI # SIHB16N50C-E3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		1000In Stock
  • 500:$4.1651
  • 100:$4.8927
  • 10:$5.9720
  • 1:$6.6500
SIHB16N50C-E3
DISTI # SIHB16N50C-E3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: SIHB16N50C-E3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel		Americas - 0
  • 10000:$2.8900
  • 6000:$2.9900
  • 4000:$3.0900
  • 2000:$3.1900
  • 1000:$3.2900
SIHB16N50C-E3
DISTI # 781-SIHB16N50C-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET N-Channel 500V
RoHS: Compliant		1000
  • 1:$6.4900
  • 10:$5.3800
  • 100:$4.4300
  • 250:$4.2900
  • 500:$3.8500
  • 1000:$3.2400
  • 2000:$3.0800
SIHB16N50C-E3Vishay Siliconix*** FREE SHIPPING ORDERS OVER $100 *** POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 16A I(D), 500V, 0.38OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB6
  • 7:$3.3000
  • 3:$4.4000
  • 1:$6.6000
SIHB16N50C-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET N-Channel 500V
RoHS: Compliant		Americas -
    SIHB16N50C-E3Vishay Semiconductors 101640
      Imagen Parte # Descripción
      SIHB16N50C-E3

      Mfr.#: SIHB16N50C-E3

      OMO.#: OMO-SIHB16N50C-E3

      		 MOSFET N-Channel 500V
      SIHB16N50C-E3

      Mfr.#: SIHB16N50C-E3

      OMO.#: OMO-SIHB16N50C-E3-VISHAY

      		 MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      1984
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SIHB16N50C-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      6,49 US$
      6,49 US$
      10
      5,38 US$
      53,80 US$
      100
      4,43 US$
      443,00 US$
      250
      4,29 US$
      1 072,50 US$
      500
      3,85 US$
      1 925,00 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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