SSM6J511NU,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UDFN6B-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

14 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

47 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

SSM6J511

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

2 mm

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

27 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.000300 oz

Tags

SSM6J511, SSM6J51, SSM6J5, SSM6J, SSM6, SSM