FQAF33N10

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3PN-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

25.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

52 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

83 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.1 mm

Longitud:

16.2 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

20 S

Otoño:

110 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

195 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

80 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Unidad de peso:

0.000198 oz

Tags

FQAF3, FQAF, FQA