MJD31CQ-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

100 V

Colector- Voltaje base VCBO:

100 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.2 V

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

3 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

50

Embalaje:

Carrete

Marca:

Diodos incorporados

Corriente continua del colector:

3 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

10

Pd - Disipación de energía:

15 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Tags

MJD31C, MJD31, MJD3, MJD