STP4NB100

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

3.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.4 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.15 mm

Longitud:

10.4 mm

Serie:

STP4NB100

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Unidad de peso:

0.011640 oz

Tags

STP4NB1, STP4NB, STP4N, STP4, STP