CG2H80120D-GP4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

MACOM

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

MESFET

Tecnología:

GaAs

Ganar:

20.5 dB

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

8 V

Id - Corriente de drenaje continua:

375 mA

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 85 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-20

Embalaje:

Carrete

Frecuencia de operación:

1 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 40 C to + 85 C

Producto:

RF JFET

Escribe:

GaAs MESFET

Marca:

MACOM

NF - Figura de ruido:

5.5 dB

P1dB - Punto de compresión:

26 dBm

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

Tags

CG2H8, CG2H, CG2