FQB8N90CTM

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

900 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

35 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

171 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

QFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.83 mm

Longitud:

10.67 mm

Serie:

FQB8N90CTM

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

5.5 S

Otoño:

70 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

110 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

70 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

40 ns

Unidad de peso:

0.046296 oz

Tags

FQB8N, FQB8, FQB