BSS84W-G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Tecnología Comchip

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

50 V

Id - Corriente de drenaje continua:

130 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

10 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 1.6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Estilo de terminación:

SMD / SMT

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Tecnología Comchip

Transconductancia directa - Mín .:

50 mS

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18 nS

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 nS

Tags

BSS84W, BSS84, BSS8, BSS